Leistungshalbleiter

Verlustarme Induktivitäten

Schlüsselbauelement für die nächste Generation Leistungsumwandler

In den letzten Jahren haben die Fortschritte bei der Effizienz von Leistungstransistoren den Schwerpunkt der Weiterentwicklung auf die Leistungssteigerung von Leistungsinduktivitäten verlagert. Verlustarme Induktivitäten bieten eine Chance, den Gesamtwirkungsgrad von Leistungswandlern zu erhöhen.

Advertorial: Würth Elektronik

TVS-Dioden - Spannungsspitzen wirksam unterdrücken

In vielen Anwendungen können unerwartet transiente Überspannungen auftreten, die das...

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Infineon Technologies und Lingji Innovation Technology haben eine Absichtserklärung...

iDEAL Semiconductor

Erstes Produkt der 200-V-SuperQ-MOSFET-Familie

Zeitgleich zum Beginn der Massenproduktion des ersten Produkts seiner...

Power Integrations unter neuer Führung

Balu Balakrishnan: »Mit 70 sollte man es als CEO gut sein lassen«

Seit 2002 führte Balu Balakrishnan Power Integrations. In der Halbleiterbranche eine...

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Industrieveteran Robin Lyle wird VP für Forschung und Entwicklung

Cambridge GaN Devices holt mit Robin Lyle als Vice President für Forschung und...

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Erweiterung der OptiMOS-6-Familie

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Bidirektionale GaN-Schalter über 600 V

»Humanoide Roboter sind eine faszinierende GaN-Anwendung«

Wer die Geschichte von International Rectifier kennt und damit sowohl die seines Vaters...

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